Name: onsemi NTH027N65S3F_F155
Brand: onsemi
SKU: NTH027N65S3F_F155
Availability: InStock
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onsemi NTH027N65S3F_F155

Artikelnummer:

NTH027N65S3F_F155

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Datenblätte:

1.NTH027N65S3F_F1.pdf ···: PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf

Datenblätter
NTH027N65S3F.pdf

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ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTH027N65S3F_F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTH027N65S3F_F155.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 7.5mA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-3
Serie	FRFET®, SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27.4mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	595W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7690 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	259 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	75A (Tc)
Grundproduktnummer	NTH027
NTH027N65S3F_F155 Einzelheiten PDF [English]	NTH027N65S3F_F155 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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